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プロセス装置 (Equipment for device process)

電子線描画装置
Electron beam lithography

Acceleration voltage: 50 kV
Controllability of beam position: >5 nm
Beam scanning step: >2.5 nm
Field emission type
誘導結合型反応性イオンエッチング装置
ICP reactive ion etching

#1(Right)
Etching gas: Cl2 O2
Plasma gas: Ar Xe
Maximum wattage: 600W
Base temp.: 150 ℃

#2(Left)
Etching gas: CF4, C4F8, O2
Plasma gas: Ar
Wattage: ICP 1kW/ BIAS 300W
Base temp.: RT
誘導結合型反応性イオンエッチング装置
ICP reactive ion etching

Etching gas: O2, CHF3, C4F8, SF6, HBr
Plasma gas: Ar
Wattage: 1500W/1000W
Temp: -150℃ - 100℃
レーザ素子用ダイボンダ装置
Semiconductor laser chip bonder
ワイヤボンダ装置
Wire bonder
スパッタ装置
Sputtering systems

Rf power : 500W
Gas : Ar, O2, N2
Target : SiO2, ITO, Al etc
電子線蒸着装置
Electron Beam Evaporator